Перспективы графеновой наноэлектроники

Л. М. Журавлева; Ю. А. Никулина; А. К. Лебедева

Перспективы графеновой наноэлектроники

Л. М. Журавлева, Ю. А. Никулина, А. К. Лебедева

Полный текст:

Аннотация

Текст аннотации на англ. языке и полный текст статьи на англ. языке находится в прилагаемом файле ПДФ (англ. версия следует после русской версии).В статье рассмотрены актуальные вопросы совершенствования электроники и перехода на новый технологический уклад, связанный с нанотехнологией. Отмечено, что главным направлением развития наноэлектроники является создание новых материалов типа графена. Проанализирована возможность замены основного сейчас в этой сфере функционального материала кремния на графен. Приведены краткие сведения о преимуществах, способах изготовления, а также методах открытия запрещенной зоны - перевода графена в полупроводник. Предложен способ изготовления полупроводникового графена, позволяющий организовать его промышленное производство.

Ключ. слова

транспорт, наука, функциональный материал, графен, графит, электроника, наноэлектроника, нанотехнологии,

Об авторах

Л. М. Журавлева

Московский государственный университет путей сообщения (МИИТ)
Россия

Ю. А. Никулина

Московский государственный университет путей сообщения (МИИТ)
Россия

А. К. Лебедева

Московский государственный университет путей сообщения (МИИТ)
Россия

Список литературы

1. Графен. [Электронный ресурс]: https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%93%D1%80%D0%B0%D1%8 4%D0%B5%D0%BD.Доступ 27.11.2015.

2. Поверенная М. Графеновый бум: итоги // Нанотехнологическое сообщество.- Выпуск 26 октября 2012. [Электронный ресурс]: http://www.nanometer.ru /2012/10/26/13512365078102_298275.html. Доступ 27.11.2015.

3. За создание графена присуждена Нобелевская премия в области физики. [Электронный ресурс]: http://venture-biz.ru/tekhnologii-innovatsii/93-grafen-nobelevskaya-premiya. Доступ 27.11.2015.

4. Журавлева Л. М., Плеханов В. Г.Изотопическое создание полупроводникового графена // Нанотехника.- 2012.- № 3.- С. 34-39.

5. Графен.Физика. [Электронный ресурс]: http://4108.ru/u/grafen_-_fizika. Доступ 27.11.2015.

6. Юдинцев В. Графен.Наноэлектроника стремительно набирает силы // Электроника, наука, технология, бизнес.- 2009.- № 6.[Электронный ресурс]: http:// www.electronics.ru/journal/article/269. Доступ 27.11.2015.

7. Самардак А. Графен: новые методы получения и последние достижения // Элементы.- Выпуск 30.09.2008. [Электронный ресурс]: http://elementy.ru/ novosti_nauki/430857/Grafen_novye_metody_ polucheniya_i_poslednie_dostizheniya.Доступ 27.11.2015.

8. Novoselov, K.S., Geim, A.K., Morozov, S.V., Jiang, D., Zhang, Y., Dubonos, S.V., Grigorieva, I.V., Firsov, A.A. Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films // Science.V.306.P. 666-669.22 October 2004.

9. Bekyarova E., Itkis M. E., Cabrera N., Zhao B., Yu A., Gao J., Haddon R. C. Electronic Properties of Single-walled Carbon Nanotube Networks // J.Am.Chem.Soc.2005.Vol.127, No.16.P. 5990-5995.

10. Palnitkar U. A., Kashid R. V., More M. A., Joag D. S., Panchakarla L. S., Rao C.N.R. Remarkably Low Turn-on Field Emission in Undoped, Nitrogen-doped, and Boron-doped Graphene // Appl.Phys.Lett.2010.Vol.97, № 6.P. 063102- 063102.

11. Чернозатонский Л. А., Сорокин П. Б., Белова Е. Е., Брюнинг Й., Фёдоров А. С. Сверхрешетки, состоящие из «линий» адсорбированных пар атомов водорода на графене // Письма в ЖЭТФ.- 2007.- Т. 85.- № 1.- С. 84-89.

12. Новосёлов К. С. Графен: Материалы Флатландии // УФН.- 2011.- Т. 181.- С. 1299-1311.

13. McCann E., Koshino M. The Electronic Properties of Bilayer Graphene // Rep.Prog.Phys.2013.Vol.76, № 5.P. 056503(28).

14. Чернозатонский Л. А., Сорокин П. Б., Белова Е. Е., Брюнинг Й., Фёдоров А. С. Сверхрешетки металл-полупроводник (полуметалл) на графитовом листе с вакансиями // Письма в ЖЭТФ.- 2006.- Т. 84. - № 3.- С. 141-145.

Дополнительные файлы

Для цитирования: Журавлева Л.М., Никулина Ю.А., Лебедева А.К. Перспективы графеновой наноэлектроники. Мир транспорта. 2016;14(1):72-78.

For citation: Zhuravleva L.M., Nikulina Y.A., Lebedeva A.C. PROSPECTS OF GRAPHENE NANOELECTRONICS. World of Transport and Transportation. 2016;14(1):72-78. (In Russ.)

Обратные ссылки

Обратные ссылки не определены.

Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.

ISSN 1992-3252 (Print)

Логин
Пароль