Перспективы графеновой наноэлектроники

Текст аннотации на англ. языке и полный текст статьи на англ. языке находится в прилагаемом файле ПДФ (англ. версия следует после русской версии).В статье рассмотрены актуальные вопросы совершенствования электроники и перехода на новый технологический уклад, связанный с нанотехнологией. Отмечено, что главным направлением развития наноэлектроники является создание новых материалов типа графена. Проанализирована возможность замены основного сейчас в этой сфере функционального материала кремния на графен. Приведены краткие сведения о преимуществах, способах изготовления, а также методах открытия запрещенной зоны - перевода графена в полупроводник. Предложен способ изготовления полупроводникового графена, позволяющий организовать его промышленное производство.

транспорт, наука, функциональный материал, графен, графит, электроника, наноэлектроника, нанотехнологии

1. Графен. [Электронный ресурс]: https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%93%D1%80%D0%B0%D1%8 4%D0%B5%D0%BD.Доступ 27.11.2015.

2. Поверенная М. Графеновый бум: итоги // Нанотехнологическое сообщество.- Выпуск 26 октября 2012. [Электронный ресурс]: http://www.nanometer.ru /2012/10/26/13512365078102_298275.html. Доступ 27.11.2015.

3. За создание графена присуждена Нобелевская премия в области физики. [Электронный ресурс]: http://venture-biz.ru/tekhnologii-innovatsii/93-grafen-nobelevskaya-premiya. Доступ 27.11.2015.

4. Журавлева Л. М., Плеханов В. Г.Изотопическое создание полупроводникового графена // Нанотехника.- 2012.- № 3.- С. 34-39.

5. Графен.Физика. [Электронный ресурс]: http://4108.ru/u/grafen_-_fizika. Доступ 27.11.2015.

6. Юдинцев В. Графен.Наноэлектроника стремительно набирает силы // Электроника, наука, технология, бизнес.- 2009.- № 6.[Электронный ресурс]: http:// www.electronics.ru/journal/article/269. Доступ 27.11.2015.

7. Самардак А. Графен: новые методы получения и последние достижения // Элементы.- Выпуск 30.09.2008. [Электронный ресурс]: http://elementy.ru/ novosti_nauki/430857/Grafen_novye_metody_ polucheniya_i_poslednie_dostizheniya.Доступ 27.11.2015.

8. Novoselov, K.S., Geim, A.K., Morozov, S.V., Jiang, D., Zhang, Y., Dubonos, S.V., Grigorieva, I.V., Firsov, A.A. Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films // Science.V.306.P. 666-669.22 October 2004.

9. Bekyarova E., Itkis M. E., Cabrera N., Zhao B., Yu A., Gao J., Haddon R. C. Electronic Properties of Single-walled Carbon Nanotube Networks // J.Am.Chem.Soc.2005.Vol.127, No.16.P. 5990-5995.

10. Palnitkar U. A., Kashid R. V., More M. A., Joag D. S., Panchakarla L. S., Rao C.N.R. Remarkably Low Turn-on Field Emission in Undoped, Nitrogen-doped, and Boron-doped Graphene // Appl.Phys.Lett.2010.Vol.97, № 6.P. 063102- 063102.

11. Чернозатонский Л. А., Сорокин П. Б., Белова Е. Е., Брюнинг Й., Фёдоров А. С. Сверхрешетки, состоящие из «линий» адсорбированных пар атомов водорода на графене // Письма в ЖЭТФ.- 2007.- Т. 85.- № 1.- С. 84-89.

12. Новосёлов К. С. Графен: Материалы Флатландии // УФН.- 2011.- Т. 181.- С. 1299-1311.

13. McCann E., Koshino M. The Electronic Properties of Bilayer Graphene // Rep.Prog.Phys.2013.Vol.76, № 5.P. 056503(28).

14. Чернозатонский Л. А., Сорокин П. Б., Белова Е. Е., Брюнинг Й., Фёдоров А. С. Сверхрешетки металл-полупроводник (полуметалл) на графитовом листе с вакансиями // Письма в ЖЭТФ.- 2006.- Т. 84. - № 3.- С. 141-145.