<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">mirtr</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Мир транспорта</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>World of Transport and Transportation</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1992-3252</issn><publisher><publisher-name>Russian University of Transport (RUT)</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.30932/1992-3252-2018-16-2-7</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">mirtr-1435</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>НАУКА И ТЕХНИКА</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>SCIENCE AND ENGINEERING</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Новые материалы в оптоэлектронике</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>NEW MATERIALS IN OPTOELECTRONICS</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Журавлёва</surname><given-names>Л. М.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Zhuravlyova</surname><given-names>L. M.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">zhlubov@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Ивашевский</surname><given-names>М. Р.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Ivashevsky</surname><given-names>M. R.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">misha_13@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Музафаров</surname><given-names>И. Ф.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Muzafarov</surname><given-names>I. F.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">muz.il@yandex.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>Российский университет транспорта (МИИТ)</institution><country>Russian Federation</country></aff><aff xml:lang="ru" id="aff-2"><institution>Московско-Рязанский региональный центр связи Московской дирекции связи ОАО «РЖД»</institution><country>Russian Federation</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2018</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>28</day><month>04</month><year>2018</year></pub-date><volume>16</volume><issue>2</issue><fpage>74</fpage><lpage>83</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Журавлёва Л.М., Ивашевский М.Р., Музафаров И.Ф., 2018</copyright-statement><copyright-year>2018</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Журавлёва Л.М., Ивашевский М.Р., Музафаров И.Ф.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Zhuravlyova L.M., Ivashevsky M.R., Muzafarov I.F.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://mirtr.elpub.ru/jour/article/view/1435">https://mirtr.elpub.ru/jour/article/view/1435</self-uri><abstract><p>Текст аннотации на англ. языке и полный текст статьи на англ. языке находится в прилагаемом файле ПДФ (англ. версия следует после русской версии). В статье рассмотрены актуальные вопросы повышения эффективности оптоэлектронных устройств на основе новых материалов. Отмечено, что наиболее перспективным направлением исследований является проектирование полупроводниковых материалов с помощью собственных изотопов химических элементов. Так, очистка от тяжёлых изотопов исходных веществ повышает быстродействие оптоэлектронных устройств, квантовую эффективность, чувствительность фотоприёмников. Наибольший эффект от изотопической очистки можно получить для наноструктурированного материала (сверхрешёток). Его применение позволит создать более чувствительные приборы для ночного видения, солнечных батарей, систем обеспечения безопасности, медицинского оборудования, фотоприёмники сверхдлинного инфракрасного диапазона.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>For the English abstract and full text of the article please see the attached PDF-File (English version follows Russian version). ABSTRACT The current problems of increasing the efficiency of optoelectronic devices with the help of new materials are considered in the article. It is noted that the most promising direction of research is the design of semiconductor materials using the own isotopes of chemical elements. Thus, purification from heavy isotopes increases the speed of optoelectronic devices, quantum efficiency, sensitivity of photodetectors. The greatest effect of isotope purification can be obtained for a nanostructured material (superlattices). This new semiconductor material will create more sensitive instruments for night vision, solar panels, safety systems, medical equipment, ultra-long-range infrared photodetectors. Keywords: optoelectronics, communication, isotopes, purification, quantum efficiency, superlattices.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>оптоэлектроника</kwd><kwd>связь</kwd><kwd>изотопы</kwd><kwd>очистка</kwd><kwd>квантовая эффективность</kwd><kwd>сверхрешётки</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Журавлёва Л.М., Плеханов В.Г.Перспективы применения изотопической наноинженерии в телекоммуникационных системах // Успехи наноинженерии: электроника, материалы, структуры / Под ред. Дж.Дэвиса, М.Томпсона. - М.: Техносфера, 2011. - С.478-491.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Журавлёва Л.М., Плеханов В.Г.Перспективы применения изотопической наноинженерии в телекоммуникационных системах // Успехи наноинженерии: электроника, материалы, структуры / Под ред. Дж.Дэвиса, М.Томпсона. - М.: Техносфера, 2011. - С.478-491.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Плеханов В.Г., Журавлёва Л.М.Изотопическое создание полупроводникового графена // Нанотехника. - 2012. - № 3. - С.34-38.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Плеханов В.Г., Журавлёва Л.М.Изотопическое создание полупроводникового графена // Нанотехника. - 2012. - № 3. - С.34-38.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Press Release (2001) of Isonics Corporation, Golden, Colorado.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Press Release (2001) of Isonics Corporation, Golden, Colorado.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Журавлёва Л.М., Малых Ал-й Н., Малых Ал-р Н. Наноматериалы и оптоэлектроника в скоростных системах связи // Мир транспорта. - 2016. - № 2. - С.74-80.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Журавлёва Л.М., Малых Ал-й Н., Малых Ал-р Н. Наноматериалы и оптоэлектроника в скоростных системах связи // Мир транспорта. - 2016. - № 2. - С.74-80.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Collins A. T., Lawson S. C., Davies G., Kanda H. Indirect energy gap of 13C diamond // Phys. Rev. Lett. 65, - Published 13 August 1990.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Collins A. T., Lawson S. C., Davies G., Kanda H. Indirect energy gap of 13C diamond // Phys. Rev. Lett. 65, - Published 13 August 1990.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Разделение изотопов. [Электронный ресурс]: http://ru.wikipedia.org/w/index.php?title = Разделение_изотопов&amp;oldi = 62541612. Доступ 05.04.2018.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Разделение изотопов. [Электронный ресурс]: http://ru.wikipedia.org/w/index.php?title = Разделение_изотопов&amp;oldi = 62541612. Доступ 05.04.2018.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Богданова В.А., Давлеткильдеев Н.А., Семиколенова Н.А., Сидоров Е.Н.Эффективная масса электронов в сильно легированном арсениде галлия при упорядочении примесных комплексов // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Том 36. - С.407-411.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Богданова В.А., Давлеткильдеев Н.А., Семиколенова Н.А., Сидоров Е.Н.Эффективная масса электронов в сильно легированном арсениде галлия при упорядочении примесных комплексов // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Том 36. - С.407-411.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Розеншер Э., Винтер Б.Оптоэлектроника. - М.: Техносфера, 2006. - 588 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Розеншер Э., Винтер Б.Оптоэлектроника. - М.: Техносфера, 2006. - 588 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Мартинес-Дуарт Дж.М.Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. - М.: Техносфера, 2007. - 368 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Мартинес-Дуарт Дж.М.Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. - М.: Техносфера, 2007. - 368 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Журавлёва Л.М., Ивашевский М.Р. и др. Оценка качества передачи сигналов систем интеллектуального видеонаблюдения // Проектирование и технология электронных средств. - 2017. - № 3. - С.10-15.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Журавлёва Л.М., Ивашевский М.Р. и др. Оценка качества передачи сигналов систем интеллектуального видеонаблюдения // Проектирование и технология электронных средств. - 2017. - № 3. - С.10-15.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Верещагин И.К., Кокин С.М., Никитенко В.А. и др. Физика твёрдого тела - М.: Высшая школа, 2001. - 236 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Верещагин И.К., Кокин С.М., Никитенко В.А. и др. Физика твёрдого тела - М.: Высшая школа, 2001. - 236 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Журавлёва Л.М., Никулина Ю.А., Лебедева А.К.Перспективы графеновой наноэлектроники // Мир транспорта. - 2016. - № 1. - С.72-78.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Журавлёва Л.М., Никулина Ю.А., Лебедева А.К.Перспективы графеновой наноэлектроники // Мир транспорта. - 2016. - № 1. - С.72-78.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
